第636章最坚强的后盾（4k）
飞机抵达柏林，迎来的就是隆重的接机仪式，媒体长枪短炮地对准陆飞所在的代表团。
结束之后，陆飞和王贲脱团。
奇梦达的总部在慕尼黑，必须马不停蹄地赶过去，驻柏林的分公司早已派出人接应。
“欢迎陆总来德！”
人群当中，打着醒目显眼的横幅。
站在最前头的是高启全和朱一鸣，也是这一次奇梦达独家收购的负责人，尤其是朱一鸣，前世可是长鑫存储的董事长兼CEO。
就是他接手了奇梦达相关的技术资料和专利文件，让长鑫存储狂飙突进，彻底崛起。
技术层面的接收，怎么能少得了他！
“陆总。”
高启全、朱一鸣等人异口同声地问好。
“上车聊。”
顾不上寒暄，陆飞径自钻入车里。
轮胎裹着防滑链的大巴车，在大雪纷飞的街道上，稳稳当当，一路向前。
“你们考察了奇梦达，感觉怎么样？”
陆飞从保温杯里倒出热茶。
“陆总，从我们这些天的观察，结合华亚科掌握的技术参数和资料来看，奇梦达现在的埋入式技术已经有堆叠式的雏形，只要给钱给人，假以时日，肯定能造出来，就是还有一些技术上的缺陷需要攻克。”
朱一鸣一脸认真。
“什么缺陷？”
陆飞喝了口热茶，顿时感到暖和。
Dram是平面式的架构，随着线宽减少，表面积相应缩减，电容值已经无法满足读取需求，因此不断缩微的Dram架构演变技术路线有两条，一种是沟槽式，一种是堆叠式。
原理都是用空间结构的变化，得到更大的表面积。前者是在晶体管下面挖沟槽，工艺相对复杂，但单元所占的面积更小，功耗更低。
后者是把电容叠加在晶体管上面，用内表面、外表面这两面当作电容，工艺相对简单。
如果沟槽式是现在，堆叠式就是未来！
“像奇梦达这种埋入式字线结构，由于动态随机存储芯片的制程微缩，字线的结构也会不断缩小。”朱一鸣拿出纸笔，在纸上写写画画，“还有，电子迁移率衰减、饱和速度都会限制驱动电流的提高，今后要改善性能也会非常困难。”
“有问题就要解决，你们怎么解决？”
陆飞盯着纸，打起十二分精神。
“我们暂时讨论出2种，最可行的就是推出全新的半导体存储器件结构，从根本上改善动态随机存储芯片性能。”
朱一鸣抖落而出：“就是把两条埋入式字线结构分别设置在锗硅弛豫层填充沟槽内的有源区，弛豫侧壁会对里边的有源区产生应力，就能提高沟道内部电子的迁移率，另外……”
“瞧瞧，这个就叫专业。”
陆飞看向高启全，相视一笑。
高启全欣然同意，“我来长江存储，第一是陆总，第二就是朱总这帮青
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